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CI monolithique
Circuit hybride hyperfréquence
Circuit intégré hyperfréquence monolithique
Circuit intégré micro-ondes
Circuit intégré monolithique
Circuit intégré monolithique hyperfréquence
Circuit intégré monolithique hyperfréquences
Circuit intégré monolithique micro-ondes
Circuit intégré monolithique pour la lecture-écriture
Circuit intégré monolithique pour micro-ondes
Circuit intégré pour micro-ondes
Circuit monolithique

Traduction de «Circuit intégré monolithique micro-ondes » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
circuit intégré monolithique hyperfréquences [ circuit intégré monolithique micro-ondes | circuit intégré monolithique pour micro-ondes | circuit intégré hyperfréquence monolithique ]

monolithic microwave integrated circuit [ MMIC | microwave monolithic integrated circuit ]


circuit hybride hyperfréquence [ circuit intégré pour micro-ondes | circuit intégré micro-ondes ]

microwave integrated circuit [ MIC | microwave integrated circuit assembly ]


circuit intégré monolithique à ondes millimétriques hyperfréquences

Micro-wave Millimetric Wave Monolithic Integrated Circuit


circuit intégré pour micro-ondes

microwave integrated circuit | MIC [Abbr.]


circuit intégré monolithique | circuit monolithique | CI monolithique

monolithic integrated circuit | monolithic circuit | monolithic IC


circuit intégré monolithique

monolithic integrated circuit


circuit intégré monolithique pour la lecture-écriture

read/write monolithic integrated circuit


circuit intégré monolithique hyperfréquence

monolithic microwave integrated circuit | MMIC
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Aux fins de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits and microassemblies of heading 85.42.


Pour l’application de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41, et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

For purposes of this note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading No. 85. 41, and integrated circuits and microassemblies of heading No. 85. 42.


émetteurs de faisceau de micro-ondes de puissance émise en impulsions élevée ou de puissance moyenne élevée produisant des champs suffisamment intenses pour rendre inutilisables les circuits électroniques d'une cible éloignée.

High pulsed power or high average power radio frequency beam transmitters, which produce fields sufficiently intense to disable electronic circuitry at a distant target.


émetteurs de faisceau de micro-ondes de puissance émise en impulsions élevée ou de puissance moyenne élevée produisant des champs suffisamment intenses pour rendre inutilisables les circuits électroniques d'une cible éloignée.

High pulsed power or high average power radio frequency beam transmitters, which produce fields sufficiently intense to disable electronic circuitry at a distant target.


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b) 100 000 cycles de mise en circuit et hors de circuit, dans le cas d’un autre four à micro-ondes.

(b) 100 000 on-off cycles, in the case of any other microwave oven.


a) 200 000 cycles de mise en circuit et hors de circuit, dans le cas d’un four à micro-ondes commercial; et

(a) 200 000 on-off cycles, in the case of a commercial microwave oven; and


(i) la porte ne puisse s’ouvrir avant que l’élément générateur de micro-ondes ne soit mis hors de circuit, et que

(i) the door cannot be opened until the microwave power generating component has been turned off, and


c.émetteurs de faisceau de micro-ondes de puissance émise en impulsions élevée ou de puissance moyenne élevée produisant des champs suffisamment intenses pour rendre inutilisables les circuits électroniques d'une cible éloignée.

c.High pulsed power or high average power radio frequency beam transmitters, which produce fields sufficiently intense to disable electronic circuitry at a distant target.


émetteurs de faisceau de micro-ondes de puissance émise en impulsions élevée ou de puissance moyenne élevée produisant des champs suffisamment intenses pour rendre inutilisables les circuits électroniques d’une cible éloignée.

High pulsed power or high average power radio frequency beam transmitters which produce fields sufficiently intense to disable electronic circuitry at a distant target.


Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques

Electronic integrated circuits and microassemblies


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